碳化硅(SiC)薄膜在石墨上被用于半导体和LED工业。这些薄膜是由化学气相沉积(CVD)制成的。结构和化学计量学评估使用SEM成像和EDS元素分析。
的杰出人才扫描电镜用于测量薄膜厚度和表面形貌作为加工参数的函数。Phenom数据立即提供了SiC扩散到石墨和表面晶体结构的关键反馈。在BSD扫描电镜图像中，较重的元素更亮，这提供了石墨基板中SiC的视觉证据。EDS元素分析显示了薄膜的元素组成。
薄膜工艺评价
薄膜材料的加工包括一系列的技术，包括沉积和蚀刻。激光常用于蚀刻、刻划或标记缺陷。的Zeta三维光学剖面仪能够在30秒内成像表面，快速获取测量数据，分析激光处理薄膜。
准确的边缘检测
利用激光烧蚀来分离薄膜中的材料，通常会产生沟槽。为了产品开发和改进，需要确定沟槽的完整性、尺寸和堆积。玻璃上的铟锡氧化物(ITO)薄膜被用于平板显示器、透明电极和有机发光器件(OLED)。玻璃上ITO涂层的激光烧蚀沟槽用于高效构造透明导体。激光直接写入(LDW)是一种无掩膜，干燥过程，允许轻松改变接触模式。在导体线之间短时间间隔时，需要良好的边界和良好的电气隔离。当导线之间的距离缩小到10 μm时，尖锐的边缘尤为重要。
激光共聚焦工具将显示这种不规则地形的透明样品上的干涉伪影，而Zeta 3DTM光学profiler使用ZDotTM聚焦技术能够在这些样本上获得有意义的数据。这一刻痕宽度为8.6µm，深度为0.2µm，显示出清晰的沟边。
槽尺寸
在薄膜太阳能电池中，电隔离是重要的，为此，沟槽被创建来隔离P和n掺杂的太阳能电池区域。在某些薄膜电池中，激光刻划器不能破坏底层的玻璃基板，而且必须包含在薄膜中。沟槽也可能有浓重的纹理，以增加光吸收。控制沟槽尺寸和表面纹理是提高太阳能电池效率的关键。为此，超快脉冲激光器被用来产生更干净、更清晰的微通道。目前的挑战是如何在大型面板上自动定位这些沟槽，并提供有关其粗糙度、深度和宽度的关键信息。
上图所示的划线带宽度为74µm，深度为0.50µm。ζ的3 dTM光学轮廓仪使用高精度的电动XY舞台和模式识别软件，自动检测划线和扫描太阳能电池上的多个位置。
测量激光刻标尺寸
激光划片是一种广泛应用的将LED晶片分割成单个晶片的技术。这种刻划过程形成了一个深而窄的沟槽，留下了很多碎片。这种几何形状妨碍了常规成像工具的使用，如干涉仪和激光共焦显微镜。Zeta的高效光学设计和ZDotTM聚焦技术允许从这样一个样品中收集尽可能多的光。上图所示的刻痕直径为9.1 μ m，深度为15.84 μ m，边壁非常粗糙，呈锥形。
评估激光功率效果
Zeta三维光学剖面仪提供快速的测量数据。激光功率对铝涂层的影响是通过三维图像所产生的陨石坑来确定的。
研究使用不同的脉冲功率激光功率显示了它如何与深度和形状的陨石坑在各种材料。这里展示的是用ZDot扫描到的在钨表面涂有铝的弹坑TM聚焦技术。
