在本次网络研讨会中，我们将讨论耗散石英晶体微天平(QCM-D)对CMP的影响。
随着半导体工艺节点不断缩小，必须实施新的材料和制造策略。新材料意味着不断发展的策略，化学机械平面化或抛光(CMP)工艺也不能幸免于这些增加的需求。
石英晶体微天平耗散技术(QCM-D)允许用户真正深入CMP过程的化学或“C”。使用QCM-D技术，工程师可以让泥浆在不同的金属或非金属表面流动，实时量化表面的化学行为。化学蚀刻或表面钝化可以根据泥浆化学和使用的添加剂以及被研究的表面来测量。化学CMP的复杂机理的细节可以通过对CMP浆料的单个组分的逐步研究来揭示。化学蚀刻剂、表面活性剂、缓蚀剂和纳米颗粒磨料都可以在不同的工艺条件下进行测试，以确定被去除材料的最佳性能和预期响应。
CMP后清洗是去除CMP过程中必要的磨料或抑制剂的必要步骤，QCM-D是帮助探索如何最好地清洁CMP后残留的一个很好的工具。许多不同的QCM-D传感器表面商用相关的行业需求，包括Cu, Co, Al, W, SiO2, SiC，多晶硅，Si3N4, Al2O3，并可根据要求定制传感器。
请观看本次网络研讨会，了解单个料浆组分以及全料浆配方如何与各种QCM-D表面相互作用，从而更好地理解如何使用QCM-D来深入了解复杂的CMP过程。
